13-18 сентября 2015 года, Томск

Секция:

  1. С.В. Алексеев, М.В. Иванов, Н.Г. Иванов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.Ф. Лосев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия)
    Исследование условий сокращения длительности фемтосекундного лазерного импульса за счёт фазовой самомодуляции
  2. Панченко Н.А. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Газовые лазера на смесях F2 с инертными газами с накачкой мощными диффузными наносекундными разрядами  
  3. Панченко Ю.Н. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Андреев М.В. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Управление  параметрами излучения KrF лазера с дисперсионным резонатором.  
  4. Копылова Татьяна Николаевна (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия)
    Перспективы развития органической электроники
  5. Гадиров Р.М. (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), Копылова Т.Н. (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), Никонов С.Ю. (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), Солодова Т.А. (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), Тельминов Е.Н. (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), Никонова Е.Н. (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия)
    Спонтанное и вынужденное излучение 9,10 бис[(триизопропилсилил)этинил]антрацена (TIPS-A) при фото- и электровозбуждении
  6. Горбунков Владимир Иванович (Омский государственный технический университет, Омск, Россия), Соломонов Владимир Иванович (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
    Термическое равновесие газоразрядной плазмы ртутной лампы низкого давления
  7. К.Н. Фирсов (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), Е.М. Гаврищук (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия; Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия), В.Б. Иконников (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия), С.Ю. Казанцев (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), И.Г. Кононов (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), С.А. Родин (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия), Н.А. Тимофеева (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия)
    Характеристики лазера на поликристалле ZnSe:Fe2+ при комнатной температуре
  8. В.И. Трунов1, А.Г. Полещук2, А.Г.Сeдухин2, С.А.Фролов1, К.А.Иванова1 (Институт лазерной физики CО РАН, Новосибирск, Россия; Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия)
    Оптимизация параметров датчика Шака-Гартмана для измерения неоднородностей пучков мощных фемтосекундных лазеров с высоким разрешением
  9. Гаврищук Е.М. (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия; Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия), Иконников В.Б. (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия), Казанцев С.Ю. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), Кононов И.Г. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), Родин С.А. (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия), Савин Д.В. (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия), Тимофеева Н.А. (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия), Фирсов К.Н. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия)
    Fe2+:ZnS-лазер, работающий при комнатной температуре
  10. Белевцев А.А. (Институт высоких температур РАН, Москва, Россия), Фирсов К.Н. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), Казанцев С.Ю. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), Кононов И.Г. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), Подлесных С.В. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия)
    Объемный самостоятельный разряд в c-C4F8
  11. Алексеев Е.Е. (Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», Москва, Россия), Казанцев С.Ю. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), Кононов И.Г. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), Рогалин В.Е. (Государственное унитарное предприятие "НПО Астрофизика", Москва, Россия; Тверской государственный университет, Тверь, Россия), Фирсов К.Н. (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия)
    Прохождение излучения нецепного HF(DF) лазера через кристаллы Ge
  12. С.Д. Великанов (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), А.П. Домажиров (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), Н.А. Зарецкий (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), С.Ю. Казанцев (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), И.Г. Кононов (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), А.А. Кромин (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), С.В. Подлесных (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия), А.А. Сивачев (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), К.Н. Фирсов (Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), С.В. Харитонов (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), В.С. Цыкин (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), В.В. Щуров (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия), И.М. Юткин (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия)
    Мощный импульсно-периодический HF(DF) лазер с твердотельным генератором накачки
  13. М.А. Шулепов, (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), М.В. Ерофеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия), Ю.Ф. Иванов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия), К.В. Оскомов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Модификация различных металлов объемным разрядом в атмосфере
  14. М.А. Шулепов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), М.В. Ерофеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия), Ю.Ф. Иванов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), К.В. Оскомов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия)
    Модификация поверхностных слоев меди объемным разрядом в воздухе атмосферного давления
  15. М.А. Шулепов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), М.В. Ерофеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия), Ю.Ф. Иванов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), К.В. Оскомов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Томский политехнический университет, Томск, Россия)
    Модификация поверхностных слоев алюминия объемным разрядом в различных газах атмосферного давления
  16. М.В. Бельков
    Развитие оптики и оптоэлектроники в Республике Беларусь и перспективные направления сотрудничества
  17. Г.Б. Толсторожев (Институт физики НАН Республики Беларусь, Минск, Беларусь), М.В. Бельков (Институт физики НАН Республики Беларусь, Минск, Беларусь), О.И. Шадыро, Г.В. Майер (Томский государственный университет, Томск, Россия)
    Оптико-физические технологии диагностики биологической активности гидроксилсодержащих ароматических соединений
  18. В.А. Иванюков, Е.Н. Николаевич, Т.А. Солодова
    Перспективы создания фотовозбуждаемого органического полупроводникового тонкопленочного лазера на основе органических низкомолекулярных соединений
  19. До Куанг Мань (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), Б.А. Козлов (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), А.Б. Ястребков (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия)
    ТЕ-СО2 лазеры с длительностью импульсов излучения менее 10 наносекунд 
  20. М.Е. Деев (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), До Куанг Мань (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), Б.А. Козлов (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), П.А. Пеликов (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), Ю.С. Шувариков (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия), А.Б.Ястребков (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия)
    Схемы лазерной накачки молекулярных сред для генерации излучения в ТГц диапазоне