XIII Международная конференция по импульсным лазерам и применениям лазеров AMPL-2017

10-15 сентября 2017 года, Томск

Автор: Тарасенко В.Ф. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)

Список докладов:

  1. А.Г. Бураченко, Д.В. Белоплотов, Д.А. Сорокин, В.Ф. Тарасенко, Е.Х. Бакшт, М.И. Ломаев, Е.И. Липатов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Вклад катодолюминесценции и фотолюминесценции в сигналы Черенковских детекторов пучков убегающих электронов
  2. Д.В. Григорьев, А.В. Войцеховский (Томский государственный университет, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко, М.А. Шулепов, В.С. Рипенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), С.А. Дворецкий (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), М.В. Ерофеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия)
    Модификация электрофизических параметров эпитаксиальных гетероструктур HgCdTe при воздействии импульсного наносекундного разряда в газовой среде атмосферного давления
  3. Э.А. Соснин, А.А. Панарин, В.С. Скакун, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия)
    Эмиссионные спектры апокампа атмосферного давления в воздухе, аргоне и гелии
  4. В.Ф. Тарасенко, А.Г. Бураченко, Е.Х. Бакшт (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Субнаносекундный пробой в азоте, инициируемый убегающими электронами при давлениях до 1.2 МПа
  5. В.А. Панарин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Э.А. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), В.С. Скакун (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.С. Кузнецов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
    Эксилампы импульсного разряда в режиме с апокампом (Кузнецов В.С., Панарин В.А., Соснин Э.А., Скакун В.С., Тарасенко В.Ф.)
  6. Э.А. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), А.А. Панарин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.С. Скакун (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
    Эмиссионные спектры апокампа атмосферного давления в воздухе, аргоне и гелии
  7. В.С. Скакун (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), П.А. Гольцова (Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), В.А. Панарин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Д.С. Печеницин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
    Разработка XeCl-эксиламп для сельского хозяйства и животноводства
  8. В.А. Панарин, В.С. Скакун, Д.С. Печеницин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
    Апокамп – новый источник волн ионизации в потенциальном импульсно-периодическом разряде
  9. M.В. Диденко (Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Э.A. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), В.А. Панарин, В.С. Скакун, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Д.П. Лиу, Я. Сонг (Национальный университет Далян, Далян, Китай)
    Образование окислов азота в плазме импульсно-периодического разряда  в режиме с апокампом в воздухе
  10. П.А. Гольцова, Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), В.И. Горбунков, Н.А. Воронкова (Омский государственный технический университет, Омск, Россия), В.А. Панарин, Д.С. Печеницин, В.С. Скакун (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Ю.В.Чудинова (Томский сельскохозяйственный институт, Томск, Россия)
    Предпосевное облучение сельскохозяйственных культур XeCl-эксилампой: полевые исследования и перспективы
  11. А.Н. Панченко, В.Ф. Тарасенко, Н.А. Панченко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Газовые лазеры с накачкой диффузным разрядом, формируемым убегающими электронами  
  12. М.В. Ерофеев, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия), В.С. Рипенко, М.А. Шулепов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Обработка поверхностей металлов плазмой наносекундного диффузного разряда при атмосферном давлении

Вернуться