VII Международная конференция "Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул"

12-16 сентября 2005 года, Томск

Организации-участники

Организация: Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия

Список докладов:

  1. A.Н. Панченко, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Планарная эксилампа ВУФ и УФ диапазона на хлоридах инертных газовVUV и UV с накачкой поперечным самостоятельным разрядом
  2. В.М. Орловский, A.Н. Панченко, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Эффективные нецепные электорразрядные HF и DF лазеры
  3. E.Х. Бакшт, A.Н. Панченко, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Газовые лазеры с накачкой от генераторов с индуктивными накопителями энергии и полупроводниковыми прерывателями тока
  4. E.И. Липатов, A.Н. Панченко, M.A. Шулепов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Ф.Н. Любченко, Ф.В. Феденев (Центральный научно-исследовательский институт машиностроения, Королев, Россия)
    Исследование проблем создания лазерно-плазменного микродвигателя для малых и наноспутников
  5. A. Bhowmik, H.K. Dwivedi, H. Khatun, S.S Paikrao, U.N. Pal, A.P. Singh (Центральный научно-исследовательский институт электроники, Пилани, Индия), А.А. Лисенко, М.И. Ломаев, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Экспериментальное исследование с использованием диэлектрического барьерного разряда в газе N2
  6. С.М. Авдеев, М.В. Ерофеев Э.А. Соснин, А.И. Суслов, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Л.В. Лаврентьева, Е.А. Кузнецова (Томский государственный университет, Томск, Россия), Е. Cтоффелс (Эйндховенский технический университет, Эйндховен, Нидерланды)
    Сравнительное исследование действия атмосферной плазмы и узкополосного УФ излучения на бактерии
  7. В.Н. Баталова, М.Л. Москалева (Томский государственный университет, Томск, Россия), Э.А. Захарова (Томский политехнический университет, Томск, Россия), Э.А. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Новый класс электрохимических актинометров для измерения интенсивности излучения эксимерных и эксиплексных ламп
  8. В.С. Дмитрук, И.А. Обгольц (Сибирский государственный медицинский университет, Томск, Россия), Э.А. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Первый опыт применения XeCl-эксиламп в комплексном лечении псориаза
  9. М.В. Ерофеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), И.Е. Кифт, Е. Стоффелс (Эйндховенский технический университет, Эйндховен, Нидерланды)
    Новый метод изучения действия излучения XeBr- и KrBr-эксиламп на фибробласты 3T3
  10. В.М. Климкин, В.Г. Соковиков (Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия), В.Е. Прокопьев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Проблема непрерывной генерации He-Eu–лазера: история вопроса, неиспользованные возможности
  11. И.Н. Коновалов, Н.Г. Иванов, В.Ф. Лосев, Ю.Н. Панченко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Источник рентгеновского излучения для предыинизации газовых лазеров
  12. Н.Г. Иванов, В.Ф.Лосев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Компактный XeCl лазер с энергией генерации в импульсе 120 Дж
  13. Е.Н. Абдулин, В.Б. Зорин, Н.Г. Иванов, Б.М. Ковальчук, И.Н. Коновалов, В.Ф. Лосев, А.Н.Панченко, Ю.Н. Панченко, В.С. Скакун, В.Ф. Тарасенко, В.С. Толкачев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Мощная эксимерная лазерная система
  14. Н.Г. Иванов, В.Ф. Лосев, Ю.Н. Панченко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Влияние неоднородностей разряда короткоимпульсного XeCl лазера на выходные параметры
  15. Панченко Ю.Н., Тельминов А.Е. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Формирование качественного излучения в короткоимпульсном XeCl лазере
  16. Ю. И. Бычков, В. Ф. Лосев, Ю. Н. Панченко, А. Г. Ястремский (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Анализ кинетических процессов, влияющих на эффективность XeCl лазера
  17. Ю. И. Бычков, С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Оптимизация начальных параметров накачки XeCl лазера при изменении длительности импульса путем компьютерного моделирования
  18. E.Х. Бакшт, M.И. Ломаев, Д.В. Рыбка, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), A.Н. Джерхан, M. Кришнан, Дж.Р. Томпсон (Корпорация прикладных наук Аламеда, Сан Леандро, США)
    Исследования УФ импульсной лампы для высоковольтного и сильноточного алмазного коммутатора
  19. М.И. Ломаев, А. А. Лисенко, В. С. Скакун, В.Ф. Тарасенко, Д. В. Шитц (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    ВУФ источники излучения на основе барьерных разрядов в инертных газах
  20. Е.Х. Бакшт, М.И. Ломаев, Д.В. Рыбка, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
    Свободно расширяющийся и ограниченный разряд в импульсной ксеноновой лампе

Вернуться