В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, Л.Д. Покровский (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), К.А. Кох (Институт геологии СО РАН, Новосибирск, Россия) Микроструктура кристаллов AgGaS2 Докладчик:Виктор Валерьевич Атучин
3
В.В. Бова, А.В. Лукша, Н.О. Соколова (Томский университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия), П.П. Гейко, И.С. Попов (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия) Преобразование частоты в кристаллах с регулярной доменной структурой Докладчик:Павел Пантелеевич Гейко
Дж.-Дж. Хуанг (Харбинский университет науки и технологий, Харбин, Китай), Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский, А.В. Шайдуко (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия) Преобразование частоты высокоинтенсивного излучения в средний ИК диапазон Докладчик:Григорий Владимирович Ланский
Ж.-Х. Канг, Т.-Дж. Ванг (Цзилинский университет, Чанчунь, Китай), Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия) Корреляция условий фазового синхронизма и оптических свойств HgGa2S4 Докладчик:Юрий Михайлович Андреев
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте.
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.