Бойченко А.М., Яковленко С.И. Зависимости мощности и к.п.д. излучения Xe2* (172 нм) и XeCl (308 нм) эксиламп от мощности энерговклада при наличии микроразрядов, контролируемых рекомбинацией и диффузией
Яковленко С.И Убегающие электроны и формирование мощных субнаносекундных пучков при атмосферном давлении
Гундиенков В.А., Яковленко С.И. Распространение двумерной волны размножения фоновых электронов
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте.
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.