XI Международная конференция Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул - AMPL

16-20 сентября 2013 года, Томск

Программа

18 сентября 2013, среда

• 09:00
  Устные доклады.  Секция  B "Лазеры на парах металлов".
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д.ф.-м.н. Пётр Артёмович Бохан.
• 09:00
  А.Г. Григорьянц (Московский государственный технический университет, Москва, Россия), Л.А. Гусев (НТЦ "ТАТА", Саров, Россия), М.А. Казарян (Физический институт РАН, Москва, Россия), Н.А. Лябин (Научно-производственное предприятие ИСТОК, Фрязино, Россия), В.И. Сачков (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), Е.А. Морозова (Институт общей физики РАН, Москва, Россия)
  Лазер на парах меди для прецизионной обработки изделий
  Докладчик: Мишик Айразатович Казарян
• 09:15
  Н.А. Юдин, И.Д. Костыря, Ю.П. Полунин, Н.Н. Юдин (Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Затрудненный тлеющий разряд в лазерах на парах металлов
  Докладчик: Николай Александрович Юдин
• 09:30
  Ф.А. Губарев, М.В. Тригуб (Томский политехнический университет, Томск, Россия; Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия), Г.С. Евтушенко (Томский политехнический университет, Томск, Россия), Д.В. Шиянов (Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия)
  Влияние индуктивности разрядного контура на мощность генерации CuBr-лазера
  Докладчик: Федор Александрович Губарев
• 09:45
  А.В. Рязанов, И.Г. Иванов (Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия)
  Ненасыщенный коэффициент усиления и мощность излучения на новых ионных ИК лазерных переходах элементов II-й и III-й групп Периодической системы
  Докладчик: Алексей Валерьевич Рязанов
• 10:00
  С.Н. Торгаев (Томский политехнический университет, Томск, Россия; Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия), Г.С. Евтушенко, В.О. Нехорошев (Томский политехнический университет, Томск, Россия), А.М. Бойченко (Институт общей физики РАН, Москва, Россия)
  Режим пониженного энерговклада в разряд, как необходимое условие достижения высоких частот следования лазеров ЛПМ
  Докладчик: Станислав Николаевич Торгаев
• 10:45
  Перерыв на кофе.
  Место проведения: "Белый" зал ИОА СО РАН.
• 11:00
  Устные доклады.  Секция  B "Лазеры на парах металлов".
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д.т.н., проф. Геннадий Сергеевич Евтушенко.
• 11:00
  А.Н. Солдатов, А.В. Васильева, Ю.П. Полунин, И.В. Реймер, Н.Н. Юдин (Томский государственный университет, Томск, Россия), N. Sabotinov (Институт физики твердого тела АН Болгарии, София, Болгария), И. Костадинов (ООО "Pulslight", София, Болгария)
  Лазеры на парах металлов с бестиратронным источником питания
  Докладчик: Анатолий Николаевич Солдатов
• 11:15
  В.А.Димаки, В.О. Троицкий (Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия), Д.В. Шиянов (Томский политехнический университет, Томск, Россия; Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия)
  Низкочастотный CuBr-лазер с энергией генерации 3 мДж
  Докладчик: Дмитрий Валерьевич Шиянов
• 11:30
  С.П. Зинченко (Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия), И.Г. Иванов (Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия)
  Энергетические и временные характеристики импульсных ионных лазеров с РПК и некоторые их применения
  Докладчик: Игорь Григорьевич Иванов
• 12:30
  Обед.
• 14:00
  Устные доклады.  Секция  G "Преобразование лазерного излучения, оптоэлектронные устройства".
  Место проведения: Малый (серый) конференц-зал ИОА СО РАН .
  Председатель: д.ф.-м.н. Юрий Михайлович Андреев.
• 14:00
  К. Аллахвердиев (Институт материалов, Гебзе, Турция; Национальная академия авиации, Баку, Азербайджан)
  Преобразование лазерного излучения в слоистых кристаллах типа селенида галлия
  Докладчик: Керим Рaгимович Аллахвердиев
• 14:20
  Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский, А.В. Шайдуко (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия), К.А. Кох (Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия), В.А. Светличный (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия)
  Управление дисперсионными свойствами кристалла GaSe:Al изменением уровня легирования
  Докладчик: Валерий Анатольевич Светличный
• 14:35
  Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский, А.В. Шайдуко (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия), Т.И. Изаак, И.Н. Лапин, В.А. Светличный (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия), К.А. Кох (Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Нелинейность легированных Er кристаллов GaSe
  Докладчик: Григорий Владимирович Ланский
• 14:50
  Дж.-Г. Хуанг, Дж.-Ц. Тонг, Й.-Ц. Оу, Дж.-М. Хуанг, Дж.-Х. Чу (Шанхайский институт технической физики Китайской АН, Шанхай, Китай), Ю.М. Андреев, А.В. Шайдуко (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия), К.А. Кох (Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Генерация ТГц излучения в кристалле GaSe0.91S0.09
  Докладчик: Константин Александрович Кох
• 15:05
  Ю.М. Андреев, А.В. Шайдуко (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия), K.А. Кох (Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия), М.Г. Евдокимов, М.М. Назаров (Московский государственный университет, Москва, Россия)
  Даун-конверсия двухчастотного Nd:ILF лазера в ТГц диапазон
  Докладчик: М. Г. Евдокимов
• 14:00
  Устные доклады.  Секция  A "Газовые и плазменные лазеры".
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д.ф.-м.н., проф. Виктор Федотович Тарасенко.
• 14:00
  А.Н. Панченко, В.Ф. Тарасенко, Н.А. Панченко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Эффективные нецепные электорразрядные HF и DF лазеры
  Докладчик: Алексей Николаевич Панченко
• 14:15
  М.У. Хасенов (Назарбаев Университет, Астана, Казахстан), И.И. Смирнова (ТОО "Фотоника", Алма-Ата, Казахстан)
  Механизмы образования инверсной заселенности в газовых лазерах с ионизирующей накачкой
  Докладчик: Мендыхан Уразович Хасенов
• 14:30
  В.П. Лопасов (Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Томск, Россия)
  Оценка характеристик лазерного излучения на приготовленном магнитомультипольном переходе.
  Докладчик: Владимир Павлович Лопасов
• 14:45
  С.А. Ямпольская, Ю.И.Бычков, А.Г. Ястремский (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  2D моделирование электроразрядного KrF лазера
  Докладчик: Софья Александровна Ямпольская
• 15:00
  Г.Д. Чеботарев, Е.Л. Латуш, О.В. Олесницкая (Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия)
  Оптимизация частотно-энергетических характеристик малогабаритных рекомбинационных лазеров на парах стронция и кальция
  Докладчик: Геннадий Дмитриевич Чеботарев
• 15:15
  Н.O. Вершинин, И.В. Соколова ,O.Н. Чайковская (Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Использование прямого фотолиза для деградации органических веществ в проточном реакторе с эксилампами
  Докладчик: Николай Олегович Вершинин
• 15:30
  А.П. Будник, Е.Э. Кузнецова (Государственный научный центр Российской Федерации «Физико-энергетический институт», Обнинск, Россия)
  Математическое моделирование генерации лазерного излучения в He-N2-H2 плазме, возбуждаемой осколками деления урана
  Докладчик: Елена Эдуардовна Кузнецова
• 15:45
  В.Ф. Лосев, Д.М. Лубенко, П.А. Пальянов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Е.И. Краус, И.И. Шабалин (Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Формирование ударной волны в металле импульсным лазерным излучением
  Докладчик: Дмитрий Михайлович Лубенко
• 16:00
  А.Б. Козлов (Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия)
  Малогабаритный металло-керамический СО2-лазер сверхатмосферного давления
  Докладчик: Борис Алексеевич Козлов
• 15:20
  Перерыв на кофе.
  Место проведения: "Белый" зал ИОА СО РАН.
• 15:40
  Устные доклады.  Секция  G "Преобразование лазерного излучения, оптоэлектронные устройства".
  Место проведения: Малый (серый) конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д.ф.-м.н., проф. Керим Рaгимович Аллахвердиев.
• 15:40
  А.В. Шайдуко, Ю.М. Андреев (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия)
  Сравнение возможностей реализации и эффективности различных типов ГРЧ в GaSe
  Докладчик: Юрий Михайлович Андреев
• 15:55
  Г.М. Сорокин, В.И. Семенов, Т.Г. Сорокина, Б.К. Лаптенков (Чувашский государственный университет, Чебоксары, Россия)
  Вейвлет преобразование электронного спектра атома ксенона
  Докладчик: Геннадий Михайлович Сорокин
• 16:10
  А.В. Шайдуко (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия; Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия)
  Генерация прямых и обратных волн в кристалле GaSe
  Докладчик: Анна Валерьевна Шайдуко
• 16:25
  П.В. Выборнов, В.Я. Ерофеев (Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия)
  Исследование характеристик болометра с чувствительным элементом из TiNi
  Докладчик: Павел Викторович Выборнов
• 16:40
  Д.Е. Генин, Д.В. Белоплотов,А.Н. Панченко, А.Г. Ситников (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), С.Ю. Саркисов (Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия)
  Генерация второй гармоники в кристаллах GaSe и GaSe0.7S0.3 при накачке TEA CO2-лазером
  Докладчик: Дмитрий Евгеньевич Генин
• 16:45
  Устные доклады.  Секция  H "Диффузные разряды, инициируемые убегающими электронами".
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: доктор физ.-мат. наук Алексей Николаевич Панченко.
• 16:45
  В.Ф. Тарасенко, Е.Х. Бакшт, А.Г. Бураченко, И.Д. Костыря, Д. В. Рыбка (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  О влиянии конструкции катода на энергию электронов, генерируемых в воздухе атмосферного давления при субнаносекундном пробое
  Докладчик: Виктор Федотович Тарасенко
• 17:00
  Ч. Жанг, Т. Шао, М. Хао, П. Ян (Институт электротехники КАН, Пекин, Китай), Д.В. Рыбка, В.Ф. Тарасенко, М.И. Ломаев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Генерация пусков убегающих электронов в наносекундном импульсном разряде в точко-плоскостном промежутке в различных газах
  Докладчик: Ченг Жанг
• 17:15
  М.И. Ломаев, Д.А. Сорокин, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Спектроскопия плазмы высоковольтного наносекундного разряда, инициируемого убегающими электронами
  Докладчик: Михаил Иванович Ломаев
• 17:30
  А.В. Козырев (Томский государственный университет, Томск, Россия), В.Ю. Кожевников, Н.М. Дмитриева (Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Теоретическая 1-D модель процесса формирования наносекундного разряда высокого давления в коаксиальной геометрии
  Докладчик: Андрей Владимирович Козырев
• 17:45
  Е.Х. Бакшт, В.Ф. Тарасенко, И.Д. Костыря, А.Г. Бураченко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Тао Шао, Ченг Занг, Ма Хао, Ченгйан Рен, Пинг Йан (Институт электротехники КАН, Пекин, Китай)
  О влиянии материалов катода и анода на генерацию рентгеновского излучения и пучка убегающих электронов в воздухе атмосферного давления
  Докладчик: Евгений Хаимович Бакшт
• 18:00
  Д.А. Сорокин, М.И. Ломаев, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Б.А. Нечаев, В.Н. Падалко, Е.Н. Шувалов (Томский политехнический университет, Томск, Россия)
  Генерация нейтронов в условиях высоковольтного наносекундного разряда в дейтерии, инициируемого пучком убегающих электронов
  Докладчик: Дмитрий Алексеевич Сорокин
• 18:15
  М.В. Ерофеев, Е.Х. Бакшт, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Формирование пучков убегающих электронов отраженными импульсами напряжения в импульсно периодическом режиме
  Докладчик: Михаил Владимирович Ерофеев