XV Международная конференция по импульсным лазерам и применениям лазеров – AMPL-2021

12-17 сентября 2021 года, Томск

Программа

17 сентября 2021, пятница

• 06:30
  Устные доклады. газовые и плазменные лазеры, лазеры на парах металлов.
  Место проведения: Серый зал ИОА СО РАН.
  Председатель: к.ф.-м.н. Дмитрий Алексеевич Сорокин.
• 06:30
  Е.В. Корюкина (Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), В.И. Корюкин (Сибирский государственный медицинский университет, Томск, Россия)
  Моделирование профилей линий в спектрах излучения неона в лазерных полях  
  Докладчик: Елена Владимировна Корюкина
• 06:45
  К.К. Самарханов, Э.Г. Батырбеков, М.У. Хасенов, Ю.Н. Гордиенко, Ю.В. Понкратов, Е.Ю. Тулубаев, В.С. Бочков, И.С. Карамбаева (Назарбаев Университет, Астана, Казахстан; Республиканское государственное предприятие «Национальный ядерный центр Республики Казахстан», , Курчатов, Казахстан; Филиал Институт атомной энергии Национального ядерного центра РК , Курчатов, Казахстан)
  Эмиссия распыленных частиц при возбуждении парных и тройных смесей инертных газов продуктами ядерной реакции ⁶Li(n,α)³H  
  Докладчик: Куаныш Канатулы Самарханов
• 07:00
  Лаврухин Максим Александрович (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), Бохан Петр Артемович (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), Гугин Павел Павлович (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), Закревский Дмитрий Эдуардович
  Исследование лазеров на самоограниченных переходах ионов бария и кальция
  Докладчик: Максим Александрович Лаврухин
• 07:15
  Ражев А.М., Чуркин Д.С., Ткаченко Р.А. (Институт лазерной физики CО РАН, Новосибирск, Россия)
  Новый неоновый лазер с накачкой импульсным индукционным разрядом  
  Докладчик: Роман Андреевич Ткаченко
• 07:30
  Н.А. Юдин, Х.А. Баалбаки, К.В. Ночева, Смирнова М.Е., Н.Н. Юдин
  Оптимальные параметры накачки лазера на парах меди в условиях пробоя.  
  Докладчик: Хуссейн Баалбаки
• 07:45
  Закревский Дмитрий Эдуардович (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), Гугин Павел Павлович (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), Бельская Екатерина Викторовна (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Экспериментальные исследования и моделирование генерации на переходах иона таллия при возбуждении электронным пучком.
  Докладчик: Екатерина Викторовна Бельская
• 06:30
  Устные доклады. углеродные материалы в квантовой электронике, фотонике, оптоэлектронике.
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: к.ф.-м.н. Серей Петрович Зенкин.
• 06:30
  А.С. Емельянова (Иркутский государственный университет путей сообщения, Иркутск, Россия; Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия), Е.Ф.Мартынович (Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия)
  Механизм нелинейного возбуждения А-полосы люминесценции в природном алмазе  
  Докладчик: Анастасия Сергеевна Емельянова
• 06:45
  А.С. Митулинский, А.В. Хоробрый, Линник С.А., Зенкин С.П., Гайдайчук А.В. (Томский государственный университет, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия)
  CVD синтез монокристаллического алмаза в плазме аномального тлеющего разряда  
  Докладчик: Александр Сергеевич Митулинский
• 07:00
  Мурастов Геннадий (Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия), Родригес Рауль (Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия), Шеремет Евгения (Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия)
  Пороговость процесса восстановления оксида графена при лазерном отжиге  
  Докладчик: Геннадий Мурастов
• 07:15
  Шулепов Михаил Александрович (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Бураченко Александр Геннадьевич (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Генин Дмитрий Евгеньевич (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Липатов Евгений Игоревич (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Рипенко Василий Сергеевич (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Тельминов Евгений Николаевич (Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Усиленное спонтанное излучение на NV-центрах в алмазе при оптической накачке
  Докладчик: Михаил Александрович Шулепов
• 07:30
  Липатов Е.И., (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Григорьев Д.В. (Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Бураченко А.Г. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Генин Д.Е. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Электронно-дырочная жидкость в алмазах при возбуждении лазерными импульсами наносекундной длительности
  Докладчик: Дмитрий Евгеньевич Генин
• 07:45
  Липатов Е.И., Бураченко А.Г., Генин Д.Е., Колесник Е.А., Рипенко В.С., Шулепов М.А. (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Углеродная электроника и фотоника
  Докладчик: Евгений Игоревич Липатов
• 08:40
  Закрытие.
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д.ф.-м.н., проф. Виктор Федотович Тарасенко.
• 09:00
  Фуршет. Кофе на посошок.
  Место проведения: Белый зал ИОА СО РАН.